- 您现在的位置：买卖IC网 > Sheet目录455 > IXFN32N120P (IXYS)MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
IXFN32N120P
32
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
70
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
28
V GS = 10V
9V
60
V GS = 10V
9V
24
20
16
8V
50
40
8V
30
12
8
7V
20
4
0
10
0
7V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
5
10
15
20
25
30
32
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics T J = 125oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 16A Value
vs. Junction Temperature
28
V GS = 10V
8V
2.6
V GS = 10V
24
2.2
20
1.8
I D = 32A
16
7V
I D = 16A
1.4
12
8
1.0
4
0
6V
0.6
0.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 16A Value
vs. Drain Current
35
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.4
2.2
V GS = 10V
T J = 125oC
30
25
2.0
1.8
1.6
20
15
1.4
10
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2010 IXYS Corporation, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
IXFN32N120
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
IXFN340N06
MOSFET N-CH 60V 340A SOT-227B
IXFN340N07
MOSFET N-CH 70V 340A SOT-227B
IXFN34N100
MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B
IXFN34N80
MOSFET N-CH 800V 34A SOT-227B
IXFN360N10T
MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
IXFN360N15T2
MOSFET N-CH 150V 310A SOT227
IXFN36N100
MOSFET N-CH 1KV 36A SOT-227B
相关代理商/技术参数
IXFN32N60
功能描述:MOSFET 32 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN32N80P
功能描述:MOSFET 29 Amps 800V 0.27 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN340N06
功能描述:MOSFET 340 Amps 60V 0.003 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN340N07
功能描述:MOSFET HiperFET Pwr MOSFET 70V, 340A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN340N07_04
制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET⑩ Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN34N100
功能描述:MOSFET 34 Amps 1000V 0.28 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN34N80
功能描述:MOSFET 34 Amps 800V 0.24 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFN35N50
制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs